活性氧化鋁的XRD譜X’Pert Pro型X射線衍射儀上測定。管電壓40kV, 管電流30mA , Cu Kα 輻射源(λ=0.115406 nm) , 掃描范圍2θ=10°～ 90°。樣品的比表面積用MicromeriticsTristar 3000 型吸附儀測定。樣品預先在200℃下抽空處理2h , N2為吸附質(zhì)(-196℃下吸附) 。活性氧化鋁比表面積用BET方法計算,孔體積和孔徑分布用BJH方法計算, 微孔體積根據(jù)t2plot方法計算.。NH3-TPD譜在Micromeritics AutoChemⅡ2920型分析儀上測定. 樣品(100mg) 預先在500℃下用He氣流(20ml/min) 處理30min , 待活性氧化鋁樣品溫度降至80℃后導入NH3吸附至飽和,然后切換用He氣流(30ml/min) 吹掃,基線平穩(wěn)后進行氨程序升溫脫附(以10℃/min的速率由80℃升溫至650℃) 。